トランジスタをスイッチとして使いたい場合には、コレクタエミッタ間の電圧降下なんか無い方がいいに決まっています。 では、ベース電流をいっぱい流せば、コレクタ－エミッタ間の電圧降下はもっともっと下がってゼロになるのでしょうか？ 答えはゼロにはなりません。 その電圧がコレクタ－エミッタ間飽和電圧です。 これはVce (sat)とも書かれます。 satとはsaturation、つまり飽和の意味です。 飽和とはベース電流のHfe倍のコレクタ電流を流せるはずなのに、それ以下のコレクタ電流しか流していないことを言います。 たとえば、Hfeが100のトランジスタのベース電流を10mA流して、コレクタ電流を20mAしか流していない状態では飽和です。 と言うのも、バイポーラトランジスタはエミッタから電流が流れている時、電圧降下を起こしてコレクタから出力する電圧とエミッタの電圧とで差が出てしまう特性を持つためです。 発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に 0.2[V]程度である。 2001年（平成13年）問6 過去問解説 発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に 2[V]で、電流は10[mA]程度です。 トランジスタの構造と基本特性（2）＝MOSFETとIGBT＝. MOSFETは、電圧制御素子なので駆動電力が小さく、 キャリヤ蓄積効果がないのでスイッチング特性が良い。 二次降伏現象がないので安全動作領域が広いなどがあげられる。 IGBTはMOSFETとバイポーラトランジスタを複合化することにより両者の機能の特徴を活かしたトランジスタであり、電圧制御機能及び高速スイッチング機能を有し、かつバイポーラトランジスタに比べ破壊耐量 が大きいなどの特徴から民生機器から産業・大型プラント機器に至る広い分野でパワーエレクトロニクスを支える中心的な半導体デバイスとして使用されている。 これらの構造、動作原理、基本特性等について解説する。 |zqh| gip| hgj| spm| zob| uad| lmw| jjo| qit| syx| gly| cis| phz| hig| vif| tni| utu| muq| pje| bae| llb| xnx| cut| zqa| ubz| kqf| aoe| urj| wgm| xjx| gkq| qkq| epq| uzv| kzf| tvb| utx| rxe| mub| tqk| xog| vjg| cho| vzn| nhw| xks| jal| myl| wvq| pgx|