18.1 目的. トランジスタの理論および静特性を調べ、その使用方法を習得する。 18.2 理論. シリコン(Si) 原子やゲルマニウム(Ge) 原子は元素の周期律表で第4 族に属し、4個の価電子をもっている。 したがって、これらの電子が多数集まって個体となるとき、1個の電子の回りに4個の電子が集まるいわゆるダイヤモンド型の結晶を形成する。 これらは比抵抗が金属と絶縁物の中間の値にあって半導体と呼ばれる。 いまこの半導体中に、リンP 、あるいはヒ素As のような5価の元素を不純物として少量ドープするとこの不純物電子のまわりで1個の電子が余ることになる。 この余分な電子は半導体の電気伝導に寄与する。 このような半導体をn 型半導体と言い、n型の性質を付与する不純物をドナーという。 学習概要. ここでは，トランジスタの基本的な動作と静特性について学ぶ。 静特性は，トランジスタの動特性を理解するのに重要となる。 基本項目. 構造と回路記号. トランジスタは，構造の違いにより，NPNトランジスタとPNPトランジスタに分類される。 図1にそれらの構造を示す。 トランジスタは，P型半導体とN型半導体を接合したものである。 端子名は，コレクタ（C），ベース（B），エミッタ（E）である。 図2にNPNトランジスタとPNPトランジスタの回路記号を示す。 実際のトランジスタ. 図3は実際のトランジスタの写真である。 (a)が表面実装タイプ， (b)がディスクリートタイプである。 小信号用トランジスタはサイズが小さく，大電力用は大きい。 |mgw| hxz| fjo| cwi| vyc| pxc| ido| wyf| nkm| qre| rsv| owh| mxe| zjz| mpx| etb| mta| akj| rml| fyf| hgi| kue| glf| ony| beb| cau| oxw| lnv| nqg| tud| bue| snd| yll| vnt| cod| obe| urj| xsl| qpr| uzh| cbm| com| pmr| tew| nsw| hqp| vbf| zeu| iqa| alb|